1N5334/TR12

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
5.0W, VZ = 3.6V, ? 20% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 5.0W 3.6V 20% T-18

1N5334/TR12 技術(shù)參數(shù)

1N5333BRLG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N5333BRL 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標準包裝:10 1N5333BG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標準包裝:1,000 1N5333B 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5331 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 22A DO4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）電流 - 平均整流（Io）:22A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 30A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5334BE3 1N5334BE3/TR12 1N5334BE3/TR13 1N5334BE3/TR8 1N5334BG 1N5334BRL 1N5334BRLG 1N5334C/TR12 1N5334C/TR8 1N5334CE3/TR12 1N5334CE3/TR13 1N5334CE3/TR8 1N5334E3/TR12 1N5334E3/TR13 1N5334E3/TR8 1N5335/TR12 1N5335/TR8 1N5335A/TR12