1N5996B TR

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功能描述
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
6.8V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
8 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
1μA @ 5.2V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.5V @ 100mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10,000

1N5996B TR 技術(shù)參數(shù)

1N5996B BK 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N5996B 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5996A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5995UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5995UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5997B TR 1N5997B_T50A 1N5997B_T50R 1N5997B-TP 1N5997C 1N5997D 1N5997UR 1N5997UR-1 1N5998A 1N5998B 1N5998B BK 1N5998B_T50A 1N5998B_T50R 1N5998B-TP 1N5998C 1N5998D 1N5998UR 1N5998UR-1