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1N6623

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  • 1N6623JTX *S
    1N6623JTX *S

    1N6623JTX *S

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10

  • MSC

  • -
  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

  • 1N6623JTX *S
    1N6623JTX *S

    1N6623JTX *S

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10

  • MSC

  • -
  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG
1N6623 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6622US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):660V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 660V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6621 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6627US 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US
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