1N6641US

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SWITING 50V 0.3A 2PIN D-5D - Bulk

1N6641US 技術(shù)參數(shù)

1N6641 1N6640US 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6640 1N6639US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6638US/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:20ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673 1N6673R