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1SS403,H3F

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  • 1SS403,H3F
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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

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  • 1SS403,H3F
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

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  • 1SS403,H3F
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  • 天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503

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  • 1SS403,H3F
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13355446829

    地址:中國上海

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    聯(lián)系人:

    電話:13355446829

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937909

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

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  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 200V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 100mA
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.2V @ 100mA
  • 速度
  • 小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 60ns
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 1μA @ 200V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容
  • 3pF @ 0V,1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-76,SOD-323
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • USC
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • 125°C(最大)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
1SS403,H3F 技術(shù)參數(shù)
  • 1SS402TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):50mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):550mV @ 50mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82 供應(yīng)商器件封裝:USQ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS401(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):450mV @ 300mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:46pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 工作溫度 - 結(jié):125°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS400-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):90V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 0.5V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結(jié):150°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 1SS400TE61 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 0.5V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:EMD2 工作溫度 - 結(jié):125°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS400T5G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523 制造商:on semiconductor 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 1SS423(TE85L,F) 1SS424(TPL3,F) 1SS427,L3M 1SV228TPH3F 1SV229TPH3F 1SV233-TB-E 1SV234-TB-E 1SV239TPH3F 1SV246-TL-E 1SV249-TL-E 1SV250-TB-E 1SV251-TB-E 1SV263-TL-E 1SV264-TL-E 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F
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