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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2247 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SK2247 |
2SK2247
5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
4
8
12
16
20
1 A
0.5 A
I = 2 A
Pulse Test
Ta = 25 °C
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source State Resistance
vs. Drain Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
10 V
Ta = 25 °C
Pulse Test
V = 4 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.5, 1, 2 A
10 V
V = 4 V
I = 2 A
1 A
0.5 A
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
V = 10 V
Pulse Test
Ta = –25 °C
75 °C
25 °C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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