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AON2701L#A

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
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AON2701L#A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 二極管(隔離式)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 3A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 120 毫歐 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 6.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 1.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-WDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 6-DFN(2x2)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AON2701L#A 技術(shù)參數(shù)
  • AON2701_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):700pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN(2x2) 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2701 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):552pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON2411 功能描述:MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 12A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2180pF @ 6V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON2410 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):813pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407 AON4407_003
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