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AON7200L

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  • 型號(hào)
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  • AON7200L
    AON7200L

    AON7200L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • DFN8

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  • -
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  • 1
AON7200L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 15.8A(Ta),40A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 8 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 20nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 3.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN(3x3)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AON7200L 技術(shù)參數(shù)
  • AON7200_102 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15.8A(Ta),40A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),62W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7200_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15.8A(Ta),40A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),62W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7200 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15.8A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7140 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3350pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 封裝/外殼:8-PowerWDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6998 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱(chēng)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A,26A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7244 AON7246 AON7246_101 AON7246E AON7254 AON7262E AON7264E AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101 AON7400AL_102 AON7400AL_103
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