APTGT150H60TG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTGT150H60TG
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL
22+
-

APTGT150H60TG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APTGT150H60TG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APTGT150H60TG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APTGT150H60TG
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現(xiàn)貨，

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功能描述
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
無(wú)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

APTGT150H60TG 技術(shù)參數(shù)

APTGT150H170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:13.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:10.7nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150DU60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150DU170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:13.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150DU120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:10.7nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT150TL60G APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G APTGT200DU60TG APTGT200H120G APTGT200H60G