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BSD316SNL6327XT

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  • BSD316SNL6327XT
    BSD316SNL6327XT

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • BSD316SNL6327XT
    BSD316SNL6327XT

    BSD316SNL6327XT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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BSD316SNL6327XT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
BSD316SNL6327XT 技術(shù)參數(shù)
  • BSD316SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD314SPEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR
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