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BSH-120-01-C-D-A-TR

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BSH-120-01-C-D-A-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • .5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY
  • 制造商
  • samtec inc.
  • 系列
  • BSH
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 連接器類型
  • 插口,中央觸點帶
  • 針腳數(shù)
  • 240
  • 間距
  • 0.020"(0.50mm)
  • 排數(shù)
  • 2
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 特性
  • 板導軌
  • 觸頭鍍層
  • 觸頭鍍層厚度
  • 50μin(1.27μm)
  • 接合堆疊高度
  • 5mm
  • 板上高度
  • 0.128"(3.25mm)
  • 標準包裝
  • 125
BSH-120-01-C-D-A-TR 技術參數(shù)
  • BSH-120-01-C-D-A 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插口,中央觸點帶 針腳數(shù):240 間距:0.020"(0.50mm) 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:50μin(1.27μm) 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.128"(3.25mm) 標準包裝:1 BSH114,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):138pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 毫歐 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH112,235 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 BSH111BKR 功能描述:MOSFET N-CH 55V SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):30pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):302mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH111,235 功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):335mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR BSH121,135 BSH14-D BSH14-Q BSH-150-01-C-D BSH-150-01-C-D-A
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