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BSH-120-01-F-D

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  • BSH-120-01-F-D-A-TR
    BSH-120-01-F-D-A-TR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SAMTEC

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • BSH-120-01-F-D-TR
    BSH-120-01-F-D-TR

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室

  • 1899

  • SAMTEC

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BSH-120-01-F-D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Samtec Inc
  • 功能描述
  • CONN SCKT STRP SKT 240 POS 0.5MM SLDR ST SMD - Bulk
BSH-120-01-F-D 技術(shù)參數(shù)
  • BSH-120-01-C-D-LC-TR 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插口,中央觸點(diǎn)帶 針腳數(shù):240 間距:0.020"(0.50mm) 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板鎖 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:50μin(1.27μm) 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.128"(3.25mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:125 BSH-120-01-C-D-A-TR 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插口,中央觸點(diǎn)帶 針腳數(shù):240 間距:0.020"(0.50mm) 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導(dǎo)軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:50μin(1.27μm) 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.128"(3.25mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:125 BSH-120-01-C-D-A 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插口,中央觸點(diǎn)帶 針腳數(shù):240 間距:0.020"(0.50mm) 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導(dǎo)軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:50μin(1.27μm) 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.128"(3.25mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH114,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):138pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 毫歐 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH112,235 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR BSH121,135 BSH14-D BSH14-Q BSH-150-01-C-D BSH-150-01-C-D-A BSH-150-01-F-D BSH-150-01-F-D-A
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