BSS84AKW-BX

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BSS84AKW-BX
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號(hào)
-
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1

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功能描述
MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽車級(jí)，AEC-Q101
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
50V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
150mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.35nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
36pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
7.5 歐姆 @ 100mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
SC-70
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

BSS84AKW-BX 技術(shù)參數(shù)

BSS84AKW,115 功能描述:MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AKVL 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS84AKV,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AKT,115 功能描述:MOSFET P-CH 50V SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.35nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:36pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84AKS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 P-CH 50V 160MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1