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BUK9230-55A,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BUK9230-55A,118
    BUK9230-55A,118

    BUK9230-55A,118

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
BUK9230-55A,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET TAPE13 PWR-MOS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK9230-55A,118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9230-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3805pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9226-75A,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:114W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9225-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 43A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:43A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1724pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:94W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9223-60EJ 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9222-55A/C1,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2210pF @ 25V 功率 - 最大值:103W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9277-55A,118 BUK9277-55A/CDJ BUK929R1-60EJ BUK9504-40A,127 BUK9505-30A,127 BUK9506-40B,127 BUK9506-55A,127 BUK9506-55B,127 BUK9506-75B,127 BUK9507-30B,127 BUK9508-55A,127 BUK9508-55B,127 BUK9509-40B,127 BUK9509-55A,127 BUK9509-75A,127 BUK9510-100B,127 BUK9510-55A,127 BUK9511-55A,127
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