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BUK9237-55,118

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 55V 32A SOT428
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • TrenchMOS™
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
BUK9237-55,118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9234-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9230-80EJ 功能描述:MOSFET N-CH 80V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9230-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 38A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1725pF @ 25V 功率 - 最大值:88W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9230-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):47A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):33nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3805pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9226-75A,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):114W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9504-40A,127 BUK9505-30A,127 BUK9506-40B,127 BUK9506-55A,127 BUK9506-55B,127 BUK9506-75B,127 BUK9507-30B,127 BUK9508-55A,127 BUK9508-55B,127 BUK9509-40B,127 BUK9509-55A,127 BUK9509-75A,127 BUK9510-100B,127 BUK9510-55A,127 BUK9511-55A,127 BUK9512-55B,127 BUK9514-55A,127 BUK95150-55A,127
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