BSS123LT1

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
MOSFET 100V 170mA N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSS123LT1 技術(shù)參數(shù)

BSS123L7874XT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS123L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:21.5pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR BSS126 E6327 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906 BSS126H6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2 BSS126H6906XTSA1 BSS126L6327HTSA1