CEDM7004 BK

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
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說(shuō)明
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功能描述
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
1.78A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
460 毫歐 @ 200mA，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
0.79nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
43pF @ 25V
功率 - 最大值
100mW
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-101，SOT-883
供應(yīng)商器件封裝
SOT-883
標(biāo)準(zhǔn)包裝
8,000

CEDM7004 BK 技術(shù)參數(shù)

CEDM7002AE TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7001VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7001 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7001 BK 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 CECS065V0-G 功能描述:TVS DIODE 5VWM SOT23-6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期類型:齊納單向通道:- 雙向通道:5 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.1V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:7V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.1A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDS055V0-G CEE0.6100.151 CEE2X34PF-102FELF CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF CEE2X66PF102FELF CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C