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CIG21W1R0MNE

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • CIG21W1R0MNE
    CIG21W1R0MNE

    CIG21W1R0MNE

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • CIG21W1R0MNE
    CIG21W1R0MNE

    CIG21W1R0MNE

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • SAM

  • 13+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • CIG21W1R0MNE
    CIG21W1R0MNE

    CIG21W1R0MNE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝特價現(xiàn)貨!

  • CIG21W1R0MNE
    CIG21W1R0MNE

    CIG21W1R0MNE

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規(guī)13%專

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 399800

  • 原廠

  • SMD

  • 15+ROHS

  • -
  • 一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

  • 1/1頁 40條/頁 共26條 
  • 1
CIG21W1R0MNE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 1UH 0.5A 0805
  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 功能描述
  • CIG Series 2012 1.0 uH 20 % 1.05 A SMD Shielded Power Inductor
  • 制造商
  • Samsung Semiconductor
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0805 Embossed T/R
CIG21W1R0MNE 技術(shù)參數(shù)
  • CIG21LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):80 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 260 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):260 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 220 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):220 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 950mA 160 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):160 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21L1R5MNE 功能描述:FIXED IND 1.5UH 1.05A 140 MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG21L 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):140 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 標準包裝:1 CIG22B2R2MNE CIG22B3R3MAE CIG22B3R3MNE CIG22B4R7MAE CIG22B4R7MNE CIG22BR27MNE CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE CIG22E2R2MNE CIG22E3R3MNE CIG22E4R7MNE
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