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CIG21W4R7MNE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Samsung Electro-Mechanics
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

CIG21W4R7MNE
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9000
SAM
13+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

CIG21W4R7MNE
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

CIG21W4R7MNE
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
389800
SAMSUNG
SMD
15+ROHS
-
一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

CIG21W4R7MNE 功率電感
深圳市萊特斯電子科技有限公司
深圳市萊特斯電子科技有限公司
聯(lián)系人：江先生
電話：19176527791
地址：深圳市福田區(qū)賽格廣場1609A
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
SAMSUNG/三星
SMD
21+
-
?代理原裝公司現(xiàn)貨假一罰十?

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制造商
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
功能描述
INDUCTOR POWER 4.7UH 0.65A 0805
制造商
SAMSUNG
功能描述
CIG Series 2012 4.7 uH 20 % 0.65 A SMD Shielded Power Inductor
制造商
Samsung Semiconductor
功能描述
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 650mA 0805 Embossed T/R

CIG21W4R7MNE 技術(shù)參數(shù)

CIG21W3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 730mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:250 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21W2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 810mA 200 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:810mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21W1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 960mA 150 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±25% 額定電流:960mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:3,000 CIG21W1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.05A 133 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±25% 額定電流:1.05A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:133 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:80 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22B4R7MNE CIG22BR27MNE CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE CIG22E2R2MNE CIG22E3R3MNE CIG22E4R7MNE CIG22ER47MNE CIG22ER50SNE CIG22H1R0MAE CIG22H1R0MNE