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CMLDM7003G TR

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CMLDM7003G TR
    CMLDM7003G TR

    CMLDM7003G TR

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Central Semiconductor Cor

  • MOSFET 2N-CH 50V 0.2

  • 22+

  • -
  • CMLDM7003G TR
    CMLDM7003G TR

    CMLDM7003G TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • CMLDM7003G TR
    CMLDM7003G TR

    CMLDM7003G TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • CENTRAL S

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CMLDM7003G TR
    CMLDM7003G TR

    CMLDM7003G TR

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Central Semiconductor Cor

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
CMLDM7003G TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • 2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 280mA
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 2 歐姆 @ 50mA,5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 0.76nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 50pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 350mW
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-563
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CMLDM7003G TR 技術(shù)參數(shù)
  • CMLDM7003 TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):280mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7002AJ TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):280mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM7002AG TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):280mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM5757 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):430mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 430mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):175pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLDM3757 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA,430mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 540mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMLHPB111-1REC4-34606-3-V CMLHPB111-1RLS4-37029-250 CMLHPB111-1RLS4-40526-300 CMLHPB11-1REC4-34606-2-V CMLHPB11-1REC4-40599-225-V CMLHPB11-1RLS4-37029-200 CMLHPB11-1RLS4-40599-175-V CMLHPB11-1RLS4-40599-200-V CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250
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