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CSD19532Q5BT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19532Q5BT
    CSD19532Q5BT

    CSD19532Q5BT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29297

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD19532Q5BT
    CSD19532Q5BT

    CSD19532Q5BT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19532Q5BT
    CSD19532Q5BT

    CSD19532Q5BT

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 2448

  • TI

  • VSON8

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CSD19532Q5BT
    CSD19532Q5BT

    CSD19532Q5BT

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務)

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 30878

  • TI/德州儀器

  • VSON-8

  • 2020+

  • -
  • 大中華區(qū)授權代理可接受訂貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
CSD19532Q5BT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 100A VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 新產品
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 4.9 毫歐 @ 17A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 62nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 4810pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 3.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSON(5x6)
  • 標準包裝
  • 1
CSD19532Q5BT 技術參數(shù)
  • CSD19532Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.9 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4810pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD19532KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-263-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5060pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19532KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5060pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19531Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD19531Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012
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