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DFE201610P-R33M=P2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • DFE201610P-R33M=P2
    DFE201610P-R33M=P2

    DFE201610P-R33M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • DFE201610P-R33M=P2
    DFE201610P-R33M=P2

    DFE201610P-R33M=P2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MURATA/村田

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • DFE201610P-R33M=P2
    DFE201610P-R33M=P2

    DFE201610P-R33M=P2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • MURATA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
DFE201610P-R33M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 330nH Shielded Wirewound Inductor 4.7A 34 mOhm Max 0806 (2016 Metric)
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE201610P
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 330nH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 4.7A
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 34 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0806（2016 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.039"（1.00mm）
  • 標準包裝
  • 1
DFE201610P-R33M=P2 技術參數(shù)
  • DFE201610P-R24M=P2 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 26 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:240nH 容差:±20% 額定電流:5.4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:26 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201610P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2A 168 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:168 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201610P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 110 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201610P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 70 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201210U-2R2M=P2 功能描述:FIXED IND 2.2UH 1.2A 228 MOHM 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201210U 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:228 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 供應商器件封裝:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201612P-1R5M=P2 DFE201612P-2R2M=P2 DFE201612P-R24M=P2 DFE201612P-R33M=P2 DFE201612P-R47M=P2 DFE201612R-H-1R0M=P2 DFE201612R-H-1R5M=P2 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2
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