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DFE252010R-H-2R2M=P2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • DFE252010R-H-2R2M=P2
    DFE252010R-H-2R2M=P2

    DFE252010R-H-2R2M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • DFE252010R-H-2R2M=P2/1269AS-H-2R2M=P2
    DFE252010R-H-2R2M=P2/1269AS-H-2R2M=P2

    DFE252010R-H-2R2M=P2/1269AS-H-2R2M=P2

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人：鄭小姐

    電話：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • TDK/東電化

  • 201

  • 14+

  • -

  • 全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
DFE252010R-H-2R2M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 126 mOhm Max
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE252010R
  • 包裝
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 新產(chǎn)品
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1.7A
  • 電流 - 飽和值
  • 2.1A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 126 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級(jí)
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • *
  • 大小/尺寸
  • *
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • *
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
DFE252010R-H-2R2M=P2 技術(shù)參數(shù)
  • DFE252010R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:90 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252010R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 68 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:68 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252010P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:4.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252010P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 5A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:35 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252010P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:29 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE252012F-R33M=P2 DFE252012F-R47M=P2 DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3
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