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DMKP187BG-180

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • DMKP187BG-180
    DMKP187BG-180

    DMKP187BG-180

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TE Connectivity Raychem C

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • DMKP187BG-180
    DMKP187BG-180

    DMKP187BG-180

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5110

  • TE Connectivity / Raychem

  • ROHS

  • 1243+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存,400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
DMKP187BG-180 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 電線鑒定
  • RoHS
  • 制造商
  • TE Connectivity / Q-Cees
  • 產(chǎn)品
  • Labels and Signs
  • 類型
  • 材料
  • Vinyl
  • 顏色
  • Blue
  • 寬度
  • 0.625 in
  • 長度
  • 1 in
DMKP187BG-180 技術參數(shù)
  • DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR(等效串聯(lián)電阻):300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD(SMT)凸片 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬(20.00mm x 20.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.016"(0.40mm) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 11.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.62A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 11.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應商器件封裝:DFN3030-8 標準包裝:1 DML-430A DML-430A-C DM-LX3-1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F DMM1W4P7K-F DMM1W6P8K-F DMM2P15K-F DMM2P1K DMM2P1K-F
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