MOSFET SIHW30N60E-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIHW30N60E-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SIHW30N60E-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS 可訂貨 1:￥56.93
10:￥45.89
100:￥41.47
250:￥36.92
SI8812DB-T2-E1 Vishay/Siliconix MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V 可訂貨 1:￥2.00
10:￥1.66
100:￥1.45
250:￥1.31
3,000:￥0.897
6,000:￥0
SIHW30N60E-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 600 V
閘/源擊穿電壓 4 V
漏極連續(xù)電流 29 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 125 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-247AD
封裝 Bulk