元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
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IPP085N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A | 可訂貨 | 390:¥5.78 500:¥5.73 1,000:¥5.65 2,000:¥5.58 |
IPP05CN10LGXK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A | 可訂貨 | 275:¥22.08 500:¥19.87 1,000:¥16.77 2,000:¥15.53 |
BSC049N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 可訂貨 | 3,600:¥2.73 5,000:¥2.59 10,000:¥2.49 25,000:¥2.44 |
BSO108N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 可訂貨 | 1,450:¥2.47 2,000:¥2.04 2,500:¥2.04 5,000:¥1.90 10,000:¥1.83 25,000:¥1.76 |
BSC037N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 可訂貨 | 3,600:¥3.37 5,000:¥3.21 10,000:¥3.08 25,000:¥3.02 |
BSC043N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 可訂貨 | 3,600:¥3.21 5,000:¥3.05 10,000:¥2.93 25,000:¥2.86 |
IPW60R045CPA | Infineon Technologies | MOSFET CoolMOS Power Transistor | 可訂貨 | 142:¥111.92 500:¥95.36 |
類別: | RF/IF 和 RFID >> MOSFET |
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描述: | MOSFET N-CH 60V 80A |
RoHS: | 否 |
PDF參數(shù): | |
制造商 | Infineon Technologies |
晶體管極性 | N-Channel |
汲極/源極擊穿電壓 | 60 V |
閘/源擊穿電壓 | +/- 20 V |
漏極連續(xù)電流 | 80 A |
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) | 0.0085 Ohms |
配置 | Single |
最大工作溫度 | + 175 C |
安裝風(fēng)格 | Through Hole |
封裝 / 箱體 | TO-220 |
封裝 | Tube |