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IXGL200N60B3

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • IXGL200N60B3
    IXGL200N60B3

    IXGL200N60B3

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 65493

  • IXYS/艾賽斯

  • TO-264I

  • 24+

  • -

  • 原裝正品 華強現(xiàn)貨

  • IXGL200N60B3
    IXGL200N60B3

    IXGL200N60B3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2855

  • IXYS

  • ROHS

  • 1223+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

  • IXGL200N60B3
    IXGL200N60B3

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  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8323763213302457603

    地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • IXYS

  • IGBT 150A 600V ISOPL

  • 23+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 150Amps 600V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IXGL200N60B3 技術(shù)參數(shù)
  • IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標準包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGN200N60A IXGN200N60A2 IXGN200N60B IXGN200N60B3 IXGN320N60A3 IXGN400N30A3 IXGN400N60A3 IXGN400N60B3 IXGN40N60CD1 IXGN50N120C3H1 IXGN50N60B IXGN50N60BD2 IXGN50N60BD3 IXGN60N60 IXGN60N60C2 IXGN60N60C2D1 IXGN72N60A3 IXGN72N60C3H1
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