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1N5263B(56V)

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1N5263B(56V) 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5263B TR 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5263B BK 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5263B A0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5263B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5263B 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5263C-TAP 1N5263C-TR 1N5264 1N5264A 1N5264A (DO-35) 1N5264B 1N5264B (DO-35) 1N5264B BK 1N5264B TR 1N5264BDO35 1N5264B-T 1N5264B-TAP 1N5264B-TP 1N5264B-TR 1N5264BUR-1 1N5264C-TAP 1N5264C-TR 1N5265
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