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1N824A

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N824A 技術(shù)參數(shù)
  • 1N824 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N823UR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N823AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N823AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N823A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N826 1N827 1N827-1 1N827A 1N827A (DO35) 1N827AUR 1N827AUR-1 1N827UR-1 1N828 1N829 1N829-1 1N829A 1N829A (DO35) 1N829AUR 1N829AUR-1 1N829UR-1 1N914 1N914_S00Z
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