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  • 1N914 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild/micross components 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101 包裝:- 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類(lèi)型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N829UR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N829A (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N914B,113 1N914B_S00Z 1N914B_S62Z 1N914B_T50A 1N914B_T50R 1N914B-TP 1N914BTR 1N914BTR_S00Z 1N914BW RHG 1N914BWS 1N914BWS RRG 1N914BWT 1N914-T50A 1N914TAP 1N914-TP 1N914TR 1N914TR_S00Z 1N914UR
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