1SS362-TE85R

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1SS362-TE85R 技術參數(shù)

1SS362TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:80mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 1SS362FV,L3F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 1SS361UDJ-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.23V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-963 供應商器件封裝:SOT-963 標準包裝:1 1SS361LPH4-7B 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN1006-2 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS361LP3-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.23V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-XFDFN 供應商器件封裝:2-X3-DFN0603 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF