2N4400_D81Z

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N4400_D81Z 技術(shù)參數(shù)

2N4399 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4398 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4393UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4393-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4393-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G 2N4401NLBU 2N4401RLRA 2N4401RLRAG 2N4401RLRM 2N4401RLRMG 2N4401RLRPG 2N4401T93 2N4401TA