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2N5306A

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  • 制造商
  • GESS
  • 制造商全稱
  • GESS
  • 功能描述
  • SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
2N5306A 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5306_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.4V @ 200μA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):7000 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5306 功能描述:TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.4V @ 200μA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):7000 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N5303 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5302G 功能描述:TRANS NPN 60V 30A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 6A,30A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 15A,2V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2N5302 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5322 2N5323 2N5336 2N5337 2N5339 2N5347 2N5348 2N5349 2N5366 2N5366_D26Z 2N5366_D27Z 2N5366_D75Z 2N5367 2N5375 2N5384 2N5385 2N5400 2N5400_D26Z
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