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2N5415/B

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2N5415/B 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5415 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5401ZL1G 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線(xiàn)) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5401ZL1 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線(xiàn)) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5401TFR 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線(xiàn)) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5401TF 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線(xiàn)) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5432-2 2N5433 2N5433-2 2N5433-E3 2N5434 2N5457 2N5457_D26Z 2N5457_D27Z 2N5457_D74Z 2N5457_D75Z 2N5457_L99Z 2N5457G 2N5458 2N5458_D26Z 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z
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