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2SAR533PFRA

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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2SAR533PFRA 技術參數(shù)
  • 2SAR533P5T100 功能描述:PNP -50V -3A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,3V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR523UBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR523MT2L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SAR523EBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SAR522UBTL 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR544PT100 2SAR544RTL 2SAR552P5T100 2SAR552PFRAT100 2SAR552PT100 2SAR553P5T100 2SAR553PFRAT100 2SAR553PT100 2SAR553RTL 2SAR554P5T100 2SAR554PFRAT100 2SAR554PT100 2SAR554RTL 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1 2SAR586D3TL1
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