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2SD1982

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  • 2SD1982
    2SD1982

    2SD1982

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • YXYBDT臺灣

  • TO-3PN

  • 2024+

  • -

  • 代理臺灣YXYBDT.現(xiàn)貨

  • 2SD1982
    2SD1982

    2SD1982

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 三極管系列

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SD1982
    2SD1982

    2SD1982

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 8000

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2SD1982 技術(shù)參數(shù)
  • 2SD1980TL 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SD1963T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD1963T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S
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