ALD1108ASCL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " ALD1108ASCL " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL ALD110904PAL

ALD1108ASCL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ALD1108ASCL 技術(shù)參數(shù)

ALD110814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準包裝:48 ALD110814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準包裝:25 ALD110808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準包裝:48 ALD110808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準包裝:25 ALD110808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:810mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準包裝:48 ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL