ALD1108ESCL

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型號(hào)
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封裝
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說明
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功能描述
MOSFET Quad EPAD(R) Prog
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD1108ESCL 技術(shù)參數(shù)

ALD1108EPCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD110814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD110808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL ALD111910SAL ALD111933MAL