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ALD110900SAL

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ALD110900SAL
    ALD110900SAL

    ALD110900SAL

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Advanced Linear Devices I

  • MOSFET 2N-CH 10.6V 8

  • 22+

  • -

  • ALD110900SAL
    ALD110900SAL

    ALD110900SAL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進口現貨 電話010-62104...

  • ALD110900SAL
    ALD110900SAL

    ALD110900SAL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 1020

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD110900SAL 技術參數
  • ALD110900PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD110900ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD110900APAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD1108ESCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:10V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD1108EPCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:10V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL ALD111910SAL ALD111933MAL ALD111933PAL ALD111933SAL ALD112 ALD114804APCL
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