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ALD1109EPAL

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  • 功能描述
  • MOSFET Dual N-Ch Pair Array
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD1109EPAL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD110914SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD110914PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD110908SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD110908PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:820mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD110908ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:810mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111910MAL ALD111910PAL ALD111910SAL ALD111933MAL ALD111933PAL ALD111933SAL ALD112 ALD114804APCL ALD114804ASCL ALD114804PCL ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL
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