ALD111933MAL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

ALD111933MAL
深圳市新良宇電子有限公司
深圳市新良宇電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8323763213302457603
地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室
56912
Advanced Linear Devices I
MOSFET 2N-CH 10.6V 8
23+
-
原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

1/1頁 40條/頁共10條
1

您是不是要找： ALD111933PAL ALD111933SAL ALD112 ALD114804APCL ALD114804ASCL ALD114804PCL ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL

ALD111933MAL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

ALD111933MAL PDF下載

功能描述
MOSFET Dual N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD111933MAL 技術(shù)參數(shù)

ALD111910SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111910PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111910MAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1117SAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1117PAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124