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ALD112-12V

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  • ALD112-12V
    ALD112-12V

    ALD112-12V

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • OMRON

  • Standard

  • 2024+

  • -
  • 保證原裝現(xiàn)貨

  • ALD112-12V
    ALD112-12V

    ALD112-12V

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 7600

  • PANASON

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  • ALD112-12V
    ALD112-12V

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NAIS原裝

  • DIP-4

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ALD112-12V 技術(shù)參數(shù)
  • ALD112 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:16.7mA 線圈電壓:12VDC 觸頭外形:SPST-NO(1 A 型) 額定接觸(電流):3A 開關(guān)電壓:277VAC,30VDC - 最大 導(dǎo)通電壓(最大值):9 VDC 關(guān)閉電壓(最小值):0.6 VDC 工作時間:10ms 釋放時間:10ms 特性:- 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 觸頭材料:銀鎳(AgNi) 線圈功率:200 mW 線圈電阻:720 歐姆 工作溫度:-40°C ~ 70°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111933SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111933PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111933MAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD111910SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L
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