AOQI

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AOQI 技術(shù)參數(shù)

AOP610 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AOP609 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:570pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AOP607 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AOP605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AONX36372 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65 AOT10T60L AOT10T60P AOT10T60PL AOT1100L