APT10090SFLLG

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說明
操作

APT10090SFLLG
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET - MOS7 - Rail/Tube

APT10090SFLLG 技術(shù)參數(shù)

APT10090BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10090BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10078SLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2525pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10078BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2525pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10045JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6