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APT100GF60B2R

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 操作
  • APT100GF60B2R
    APT100GF60B2R

    APT100GF60B2R

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 12848

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -
  • 代理商庫房現(xiàn)貨

  • APT100GF60B2R
    APT100GF60B2R

    APT100GF60B2R

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • NULL

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • APT100GF60B2R
    APT100GF60B2R

    APT100GF60B2R

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • APT100GF60B2R
    APT100GF60B2R

    APT100GF60B2R

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT100GF60B2R
    APT100GF60B2R

    APT100GF60B2R

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • APT

  • 價格優(yōu)勢

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APT100GF60B2R PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT100GF60B2R 技術(shù)參數(shù)
  • APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):103A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):36 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):620nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向(最大值):600V 電流 - DC 正向(If):100A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100DL60BG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):100A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 100A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 APT10090BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT10090BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG
配單專家

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