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APT10M11LVFR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT10M11LVFR
    APT10M11LVFR

    APT10M11LVFR

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • TO-264L

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • APT10M11LVFR
    APT10M11LVFR

    APT10M11LVFR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 模塊

  • 03+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT10M11LVFR
    APT10M11LVFR

    APT10M11LVFR

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-264 [L]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • APT10M11LVFRG
    APT10M11LVFRG

    APT10M11LVFRG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-264L

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
APT10M11LVFR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET
APT10M11LVFR 技術(shù)參數(shù)
  • APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):142A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 71A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10M11JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):142A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 71A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10M11B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):450nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10300pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10M09B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):350nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10DC120HJ 功能描述:DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:單相 技術(shù):碳化硅肖特基 電壓 - 峰值反向(最大值):1.2kV 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A
配單專家

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