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BAR14-1(L7S)

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    BAR14-1(L7S)

    BAR14-1(L7S)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 25000

  • INFINEON

  • SOT23

  • 2024+

  • -
  • 誠(chéng)諾原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
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BAR14-1(L7S) 技術(shù)參數(shù)
  • BAR 95-02LS E6327 功能描述:RF Diode PIN - Single 50V 100mA 150mW PG-TSSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:PIN - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):50V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):150mW 封裝/外殼:2-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSSLP-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BAR 90-099LRH E6327 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:PIN - 2 個(gè)獨(dú)立 電壓 - 峰值反向(最大值):80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:800 毫歐 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BAR 90-098L4 E6327 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:PIN - 2 個(gè)獨(dú)立 電壓 - 峰值反向(最大值):80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:800 毫歐 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BAR 90-081LS E6327 功能描述:RF Diode PIN - 4 Independent 80V 100mA 150mW PG-TSSLP-8 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:PIN - 4 個(gè)獨(dú)立式 電壓 - 峰值反向(最大值):80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:800 毫歐 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):150mW 封裝/外殼:8-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSSLP-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BAR 90-07LRH E6327 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:PIN - 2 個(gè)獨(dú)立 電壓 - 峰值反向(最大值):80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時(shí)的電阻:800 毫歐 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BAR43CFILM BAR43FILM BAR43S BAR43SFILM BAR46AFILM BAR46FILM BAR5002VH6327XTSA1 BAR5003WE6327HTSA1 BAR61E6327HTSA1 BAR6302LE6327XTMA1 BAR6302LE6433XT BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302WH6327XTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 BAR6304E6327HTSA1 BAR6304WE6327HTSA1 BAR6304WH6327XTSA1 BAR6305E6327HTSA1
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