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BCR 158W E6327

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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BCR 158W E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
BCR 158W E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BCR 158T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 158L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BCR 158F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSFP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 158 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BCR 153T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:2.2k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 166T E6327 BCR 169F E6327 BCR 169L3 E6327 BCR 169T E6327 BCR 179F E6327 BCR 179L3 E6327 BCR 179T E6327 BCR 183 B6327 BCR 183F E6327 BCR 183L3 E6327 BCR 183T E6327 BCR 185F E6327 BCR 185L3 E6327 BCR 185T E6327 BCR 189F E6327 BCR 189L3 E6327 BCR 189T E6327 BCR 191F E6327
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免責(zé)聲明：以上所展示的BCR 158W E6327信息由會(huì)員自行提供，BCR 158W E6327內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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