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BCR 169S E6327

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  • BCR 169S E6327
    BCR 169S E6327

    BCR 169S E6327

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • Infineon Technologies

  • TRANSISTOR PNP DGTL

  • 23+

  • -
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  • 1
BCR 169S E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
BCR 169S E6327 技術參數(shù)
  • BCR 169L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 169F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 166T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 166L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 166F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 185L3 E6327 BCR 185T E6327 BCR 189F E6327 BCR 189L3 E6327 BCR 189T E6327 BCR 191F E6327 BCR 191L3 E6327 BCR 191T E6327 BCR 192 B6327 BCR 192F E6327 BCR 192L3 E6327 BCR 192T E6327 BCR 196F E6327 BCR 196L3 E6327 BCR 196T E6327 BCR 198F E6327 BCR 198L3 E6327 BCR 198T E6327
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