BCR 169S H6327 TR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： BCR 169T E6327 BCR 179F E6327 BCR 179L3 E6327 BCR 179T E6327 BCR 183 B6327 BCR 183F E6327 BCR 183L3 E6327 BCR 183T E6327 BCR 185F E6327

BCR 169S H6327 TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BCR 169S H6327 TR 技術參數(shù)

BCR 169L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 169F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 166T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 166L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 166F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:160MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 185L3 E6327 BCR 185T E6327 BCR 189F E6327 BCR 189L3 E6327 BCR 189T E6327 BCR 191F E6327 BCR 191L3 E6327 BCR 191T E6327 BCR 192 B6327 BCR 192F E6327 BCR 192L3 E6327 BCR 192T E6327 BCR 196F E6327 BCR 196L3 E6327 BCR 196T E6327 BCR 198F E6327 BCR 198L3 E6327 BCR 198T E6327